wmk_product_02

Carburo de silicio SiC

Descrición

Oblea de carburo de silicio SiC, é un composto cristalino de silicio e carbono moi duro, producido sintéticamente polo método MOCVD, e presentaa súa única banda ampla e outras características favorables de baixo coeficiente de expansión térmica, maior temperatura de funcionamento, boa disipación de calor, menores perdas de conmutación e condución, máis eficiente enerxética, alta condutividade térmica e maior forza de ruptura do campo eléctrico, así como correntes máis concentradas. condición.O SiC de carburo de silicio en Western Minmetals (SC) Corporation pódese proporcionar nun tamaño de 2″ 3' 4″ e 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diámetro, con obleas tipo n, semiisolantes ou ficticias para uso industrial. e aplicación de laboratorio. Calquera especificación personalizada é a solución perfecta para os nosos clientes en todo o mundo.

Aplicacións

A oblea SiC de carburo de silicio 4H/6H de alta calidade é perfecta para a fabricación de moitos dispositivos electrónicos de vangarda, rápidos, de alta temperatura e de alta tensión, como díodos Schottky e SBD, MOSFET e JFET de conmutación de alta potencia, etc. tamén un material desexable na investigación e desenvolvemento de transistores e tiristores bipolares de porta illada.Como material semicondutor de nova xeración destacado, a oblea de carburo de silicio SiC tamén serve como un eficiente espallador de calor en compoñentes de LED de alta potencia ou como un substrato estable e popular para o crecemento da capa de GaN a favor da futura exploración científica.


Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

SiC-W1

Carburo de silicio SiC

Carburo de silicio SiCen Western Minmetals (SC) Corporation pódese proporcionar no tamaño de 2″, 3' 4″ e 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diámetro, con oblea tipo n, semi-isolante ou ficticia para aplicación industrial e de laboratorio. .Calquera especificación personalizada é a solución perfecta para os nosos clientes en todo o mundo.

Fórmula lineal SiC
Peso Molecular 40.1
Estrutura cristalina Wurtzita
Aparencia Sólido
Punto de fusión 3103 ± 40K
Punto de ebulición N / A
Densidade a 300K 3,21 g/cm3
Brecha Enerxética (3.00-3.23) eV
Resistividade intrínseca >1E5 Ω-cm
Número CAS 409-21-2
Número CE 206-991-8
Non. Elementos Especificación estándar
1 Tamaño SiC 2" 3" 4" 6"
2 Diámetro mm 50,8 0,38 76,2 0,38 100 0,5 150 0,5
3 Método de crecemento MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD
4 Tipo de condutividade 4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5 Resistividade Ω-cm 0,015-0,028;0,02-0,1;> 1E5
6 Orientación 0°±0,5°;4,0° cara a <1120>
7 Espesor μm 330 ± 25 330 ± 25 (350-500)±25 (350-500)±25
8 Localización do piso principal <1-100>±5° <1-100>±5° <1-100>±5° <1-100>±5°
9 Lonxitude plana primaria mm 16±1,7 22,2±3,2 32,5 ± 2 47,5±2,5
10 Localización de piso secundario Silicio cara arriba: 90°, no sentido horario desde o plano principal ±5,0°
11 Lonxitude plana secundaria mm 8 ± 1,7 11,2±1,5 18 ± 2 22±2,5
12 TTV μm máx 15 15 15 15
13 Proa μm máx 40 40 40 40
14 Deformación μm máx 60 60 60 60
15 Exclusión de borde mm máx 1 2 3 3
16 Microtubo Densidade cm-2 <5, industrial;<15, laboratorio;<50, maniquí
17 Luxación cm-2 <3000, industrial;<20000, laboratorio;<500000, maniquí
18 Rugosidade da superficie nm máx 1 (pulido), 0,5 (CMP)
19 Gretas Ningún, para grao industrial
20 Placas hexagonales Ningún, para grao industrial
21 Raiaduras ≤3 mm, lonxitude total inferior ao diámetro do substrato
22 Chips de borde Ningún, para grao industrial
23 Embalaxe Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio composto.

Carburo de Silicio SiC 4H/6HA oblea de alta calidade é perfecta para a fabricación de moitos dispositivos electrónicos de vangarda, rápidos, de alta temperatura e de alta tensión, como díodos Schottky e SBD, MOSFET e JFET de conmutación de alta potencia, etc. Tamén é un material desexable no investigación e desenvolvemento de transistores e tiristores bipolares de porta illada.Como material semicondutor de nova xeración destacado, a oblea de carburo de silicio SiC tamén serve como un eficiente espallador de calor en compoñentes de LED de alta potencia ou como un substrato estable e popular para o crecemento da capa de GaN a favor da futura exploración científica.

SiC-W

InP-W4

PC-20

SiC-W2

s20

Consellos de adquisición

  • Mostra dispoñible baixo solicitude
  • Entrega segura de mercadorías por correo/aire/mar
  • Xestión da Calidade COA/COC
  • Embalaxe seguro e cómodo
  • Embalaxe estándar da ONU dispoñible baixo solicitude
  •  
  • Certificado ISO 9001:2015
  • Condicións CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Condicións de pago flexibles T/TD/PL/C aceptables
  • Servizos posvenda dimensionales
  • Inspección de calidade por instalacións de última xeración
  • Aprobación da normativa Rohs/REACH
  • Acordos de non divulgación NDA
  • Política de minerais sen conflitos
  • Revisión periódica da xestión ambiental
  • Cumprimento da Responsabilidade Social

Carburo de silicio SiC


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Código QR