Fosfuro de indio InP

Descrición

Fosfuro de indio InP,No CAS 22398-80-7, punto de fusión 1600 °C, un semicondutor composto binario da familia III-V, unha estrutura cristalina cúbica centrada nas caras "blenda de zinc", idéntica á maioría dos semicondutores III-V, sintetízase a partir de Elemento de indio e fósforo de alta pureza 6N 7N e convertido en monocristal mediante a técnica LEC ou VGF.O cristal de fosfuro de indio está dopado para ser de tipo n, tipo p ou condutividade semi-illante para a fabricación de obleas de ata 6″ (150 mm) de diámetro, que presenta o seu intervalo de banda directo, unha alta mobilidade de electróns e buratos e unha temperatura eficiente. condutividade.Pódese ofrecer o grao de prima ou proba de oblea de fosfuro de indio InP en Western Minmetals (SC) Corporation con condutividade tipo p, tipo n e semi-illante cun tamaño de 2" 3" 4" e 6" (ata 150 mm) de diámetro. orientación <111> ou <100> e espesor 350-625um con acabado superficial de proceso de grabado e pulido ou Epi-ready.Mentres tanto, o lingote de cristal único de fosfuro de indio 2-6″ está dispoñible baixo petición.Tamén está dispoñible un lingote de fosfato de indio policristalino InP ou multicristalino de InP de tamaño de D(60-75) x lonxitude (180-400) mm de 2,5-6,0 kg cunha concentración de portador inferior a 6E15 ou 6E15-3E16.Calquera especificación personalizada dispoñible baixo petición para conseguir a solución perfecta.

Aplicacións

A oblea de fosfuro de indio InP úsase amplamente para a fabricación de compoñentes optoelectrónicos, dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia, como substrato para dispositivos optoelectrónicos baseados en arseniuro de indio-galio (InGaAs) epitaxiais.O fosfuro de indio tamén está na fabricación de fontes de luz moi prometedoras en comunicacións de fibra óptica, dispositivos de fonte de enerxía de microondas, amplificadores de microondas e dispositivos FET de porta, moduladores de alta velocidade e fotodetectores e navegación por satélite, etc.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Fosfuro de indio InP

Cristal único de fosfuro de indioA oblea (lingote de cristal InP ou oblea) en Western Minmetals (SC) Corporation pódese ofrecer con condutividade tipo p, tipo n e semiillante cun tamaño de 2" 3" 4" e 6" (ata 150 mm) de diámetro. orientación <111> ou <100> e espesor 350-625um con acabado superficial de proceso de grabado e pulido ou Epi-ready.

Fosfuro de indio Policristalinoou lingote multicristal (lingote de polietileno InP) cun tamaño de D(60-75) x L (180-400) mm de 2,5-6,0 kg cunha concentración de portador inferior a 6E15 ou 6E15-3E16.Calquera especificación personalizada dispoñible baixo petición para conseguir a solución perfecta.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Cristal único de fosfuro de indio	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,8 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Método de crecemento	VGF	VGF	VGF
4	Condutividade	P/Zn dopado, N/(S-dopado ou non dopado), Semiillante
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor μm	350 ± 25	600 ± 25	600 ± 25
7	Orientación plana mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Identificación Plano mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilidade cm2/Vs	50-70, >2000, (1,5-4)E3
10	Concentración de portadores cm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm máx	10	10	10
12	Proa μm máx	10	10	10
13	Deformación μm máx	15	15	15
14	Luxación Densidade cm-2 max	500	1000	2000
15	Acabado superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalaxe	Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio composto.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Lingote de fosfuro de indio	Lingote policristalino o multicristalino
2	Tamaño de cristal	D (60-75) x L (180-400) mm
3	Peso por lingote de cristal	2,5-6,0 kg
4	Mobilidade	≥3500 cm²/VS
5	Concentración de portadores	≤6E15 ou 6E15-3E16 cm^-3
6	Embalaxe	Cada lingote de cristal InP está nunha bolsa de plástico selada, 2-3 lingotes nunha caixa de cartón.

Fórmula lineal	InP
Peso Molecular	145,79
Estrutura cristalina	Mestura de zinc
Aparencia	Cristalino
Punto de fusión	1062 °C
Punto de ebulición	N / A
Densidade a 300K	4,81 g/cm³
Brecha Enerxética	1.344 eV
Resistividade intrínseca	8,6E7 Ω-cm
Número CAS	22398-80-7
Número CE	244-959-5

Oblea InP de fosfuro de indioúsase amplamente para a fabricación de compoñentes optoelectrónicos, dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia, como substrato para dispositivos optoelectrónicos baseados en indio-galio-arseniuro (InGaAs) epitaxiais.O fosfuro de indio tamén está na fabricación de fontes de luz moi prometedoras en comunicacións de fibra óptica, dispositivos de fonte de enerxía de microondas, amplificadores de microondas e dispositivos FET de porta, moduladores de alta velocidade e fotodetectores e navegación por satélite, etc.