Óxido de indio

Descrición

Óxido de indio In₂O₃ou trióxido de indio 99,99%, 99,995%, 99,999% e 99,9999%, un micropo ou nanopartículas en po sólido amarelo claro, CAS 1312-43-3, densidade 7,18 g/cm³e fundíndose arredor dos 2000°C, é un material estable parecido á cerámica que é insoluble en auga, pero soluble en ácido inorgánico quente.Óxido de indio en₂O₃é un material de función semicondutor de tipo n con menor resistividade, maior actividade catalítica e unha ampla distancia de banda para aplicacións optoelectrónicas. Óxido de indio en₂O₃en Western Minmetals (SC) Corporation pódese entregar cunha pureza do 99,99%, 99,995%, 99,999% e 99,9999% de tamaño de 2-10 micras ou -100 malla en po e grao nano, 1 kg embalado en botella de polietileno con bolsa de plástico selada, ou 1 kg, 2 kg 5 kg en bolsa de aluminio composto con caixa de cartón no exterior, ou como especificacións personalizadas para as solucións perfectas.

Aplicacións

Óxido de indio en₂O₃ten un uso xeneralizado en fotoeléctricos, sensores de gas, reflectores infravermellos de película fina, aplicacións de catalizador, aditivos de cores de vidro especiais, pilas alcalinas e interruptores e contactos eléctricos de alta corrente, revestimento protector de espellos metálicos e películas semicondutores de electro-ópticos. mostrar etc. En₂O₃é o principal compoñente do obxectivo de ITO para pantallas, fiestras de eficiencia enerxética e fotovoltaica.Ademais, In₂O₃é un elemento resistivo nos circuitos integrados para formar heteroxuncións con materiais como p-InP, n-GaAs, n-Si e outros semicondutores.Mentres tanto, tendo efecto de superficie, tamaño pequeno e efecto de túnel cuántico macroscópico,Nano In₂O₃é principalmente para revestimentos ópticos e antiestáticos, aplicación de revestimentos condutores transparentes.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

In₂O₃

Aparencia	Po amarelado
Peso Molecular	277,63
Densidade	7,18 g/cm³
Punto de fusión	2000 °C
Nº CAS	1312-43-2

Non.	Elemento		Especificación estándar
1	Pureza en₂O₃≥		Impureza (Informe de proba ICP-MS PPM Max cada un)
2	4N	99,99 %	Cu/Al 20, Ti 3,0, Pb 4,0, Sn 7,0, Cd 8,0, Fe 15	Total ≤100
	4N5	99,995 %	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1,0, Si 2,0, Fe/Ca 5,0	Total ≤50
	5N	99,999 %	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Total ≤10
	6N	99,9999 %	Dispoñible baixo petición	Total ≤1,0
3	Tamaño		2-10μm en po para 4N 5N5 5N pureza, -100mesh en po para 6N pureza
4	Embalaxe		1 kg en botella de polietileno con bolsa de plástico pechada no exterior

Óxido de indio en₂O₃ ou trióxido de indio en₂O₃en Western Minmetals (SC) Corporation pódese entregar cunha pureza do 99,99 %, 99,995 %, 99,999 % e 99,9999 % 4N 4N5 5N 6N cun tamaño de 2-10 micras ou -100 en po de malla e grao nano, botella de polietileno de 1 kg embalada en bolsa de plástico selada, despois caixa de cartón fóra, ou como especificacións personalizadas para as solucións perfectas.

Óxido de indio en₂O₃ten un uso xeneralizado en fotoeléctricos, sensores de gas, reflectores infravermellos de película fina, aplicacións de catalizador, aditivos de cores de vidro especiais, pilas alcalinas e interruptores e contactos eléctricos de alta corrente, revestimento protector de espellos metálicos e películas semicondutores de electro-ópticos. mostrar etc. En₂O₃é o principal compoñente do obxectivo de ITO para pantallas, fiestras de eficiencia enerxética e fotovoltaica.Ademais, In₂O₃é un elemento resistivo nos circuitos integrados para formar heteroxuncións con materiais como p-InP, n-GaAs, n-Si e outros semicondutores.Mentres tanto, tendo efecto de superficie, tamaño pequeno e efecto de túnel cuántico macroscópico, Nano In₂O₃é principalmente para revestimentos ópticos e antiestáticos, aplicación de revestimentos condutores transparentes.