Arseniuro de galio GaAs

Descrición

Arseniuro de GalioGaAs é un Semicondutor composto de banda directa do grupo III-V sintetizado por polo menos 6N 7N galio de alta pureza e elemento arsénico, e cristal cultivado por proceso VGF ou LEC a partir de arseniuro de galio policristalino de alta pureza, aparencia de cor gris, cristais cúbicos con estrutura de cinc-blenda.Co dopaxe de carbono, silicio, telurio ou cinc para obter condutividade de tipo n ou p e semi-illante respectivamente, un cristal cilíndrico de InAs pódese cortar e fabricar en branco e oblea en corte, gravado, pulido ou epi. -listo para o crecemento epitaxial de MBE ou MOCVD.A oblea de arseniuro de galio utilízase principalmente para fabricar dispositivos electrónicos como díodos emisores de luz infravermella, díodos láser, fiestras ópticas, transistores de efecto de campo FET, circuitos integrados dixitais lineais e células solares.Os compoñentes de GaAs son útiles en frecuencias de radio ultra-altas e aplicacións de conmutación electrónica rápida, aplicacións de amplificación de sinal débil.Ademais, o substrato de arseniuro de galio é un material ideal para a fabricación de compoñentes de RF, frecuencia de microondas e circuitos integrados monolíticos, e dispositivos LED en comunicacións ópticas e sistemas de control pola súa mobilidade de sala de saturación, alta potencia e estabilidade de temperatura.

Entrega

O GaAs de arseniuro de galio de Western Minmetals (SC) Corporation pódese subministrar como oblea de cristal único ou en masa policristalina en obleas cortadas, grabadas, pulidas ou preparadas para epidemia nun tamaño de 2" 3" 4" e 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diámetro, con condutividade tipo p, tipo n ou semiillante e orientación <111> ou <100>.A especificación personalizada é a solución perfecta para os nosos clientes en todo o mundo.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Arseniuro de Galio

GaAs

Arseniuro de galio GaAsAs obleas utilízanse principalmente para fabricar dispositivos electrónicos como díodos emisores de luz infravermella, díodos láser, fiestras ópticas, transistores de efecto de campo FET, circuitos integrados dixitais lineais e células solares.Os compoñentes de GaAs son útiles en frecuencias de radio ultra-altas e aplicacións de conmutación electrónica rápida, aplicacións de amplificación de sinal débil.Ademais, o substrato de arseniuro de galio é un material ideal para a fabricación de compoñentes de RF, frecuencia de microondas e circuitos integrados monolíticos, e dispositivos LED en comunicacións ópticas e sistemas de control pola súa mobilidade de sala de saturación, alta potencia e estabilidade de temperatura.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Tamaño	2"	3"	4"	6"
2	Diámetro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5
3	Método de crecemento	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Tipo de condutividade	Tipo N/Dopado Si ou Te, Tipo P/Dopado con Zn, Semiaislante/Non dopado
5	Orientación	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Espesor μm	350 ± 25	625 ± 25	625 ± 25	650 ± 25
7	Orientación plana mm	17 ± 1	22 ± 1	32 ± 1	Muesca
8	Identificación Plano mm	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	-
9	Resistividade Ω-cm	(1-9)E(-3) para tipo p ou tipo n, (1-10)E8 para semiillante
10	Mobilidade cm2/vs	50-120 para tipo p, (1-2.5)E3 para tipo n, ≥4000 para semi-isolante
11	Concentración de portadores cm-3	(5-50)E18 para tipo p, (0,8-4)E18 para tipo n
12	TTV μm máx	10	10	10	10
13	Proa μm máx	30	30	30	30
14	Deformación μm máx	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Acabado superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Embalaxe	Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio composto.
18	Observacións	A oblea de GaAs de grao mecánico tamén está dispoñible baixo petición.

Fórmula lineal	GaAs
Peso Molecular	144,64
Estrutura cristalina	Mestura de zinc
Aparencia	Sólido cristalino gris
Punto de fusión	1400 °C, 2550 °F
Punto de ebulición	N / A
Densidade a 300K	5,32 g/cm³
Brecha Enerxética	1.424 eV
Resistividade intrínseca	3,3E8 Ω-cm
Número CAS	1303-00-0
Número CE	215-114-8

Arseniuro de galio GaAsen Western Minmetals (SC) Corporation pódese subministrar como masa policristalina ou oblea de cristal único en obleas cortadas, grabadas, pulidas ou preparadas para epidemia nun tamaño de 2” 3” 4” e 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm). , 150 mm) de diámetro, con condutividade tipo p, tipo n ou semiillante e orientación <111> ou <100>.A especificación personalizada é a solución perfecta para os nosos clientes en todo o mundo.