Oblea de silicio CZ

Descrición

Oblea de silicio de cristal único CZ está cortado a partir de lingotes de silicio monocristalino tirados polo método de crecemento Czochralski CZ, que se usa máis para o crecemento de cristales de silicio de grandes lingotes cilíndricos utilizados na industria electrónica para fabricar dispositivos semicondutores.Neste proceso, introdúcese no baño de silicio fundido unha esvelta semente de silicio cristalino con tolerancias de orientación precisas, cuxa temperatura se controla con precisión.O cristal de semente é tirado lentamente cara arriba desde o fundido a unha velocidade moi controlada, a solidificación cristalina dos átomos dunha fase líquida ocorre nunha interface, o cristal de semente e o crisol rótanse en direccións opostas durante este proceso de retirada, creando un único gran silicio cristalino coa estrutura cristalina perfecta da semente.

Grazas ao campo magnético aplicado ao tirador de lingotes CZ estándar, o silicio monocristal Czochralski MCZ inducido por campos magnéticos ten unha concentración de impurezas comparativamente menor, un nivel de osíxeno e dislocación máis baixos e unha variación de resistividade uniforme que funciona ben en compoñentes e dispositivos electrónicos de alta tecnoloxía. fabricación en industrias electrónicas ou fotovoltaicas.

Entrega

A condutividade tipo n e tipo p das obleas de silicio de cristal único CZ ou MCZ en Western Minmetals (SC) Corporation pódese entregar en tamaños de 2, 3, 4, 6, 8 e 12 polgadas de diámetro (50, 75, 100, 125, 150, 200 e 300 mm), orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial de solapado, gravado e pulido en paquete de caixa de escuma ou casete con caixa de cartón no exterior.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Oblea de silicio CZ

Oblea de silicio de cristal único CZ é o material básico na produción de circuítos integrados, díodos, transistores, compoñentes discretos, utilizados en todo tipo de equipos electrónicos e dispositivos semicondutores, así como substrato no procesamento epitaxial, substrato de obleas SOI ou fabricación de obleas compostos semi-illantes, especialmente grandes. diámetro de 200 mm, 250 mm e 300 mm son óptimos para fabricar dispositivos ultra altamente integrados.O silicio de cristal único tamén se usa para células solares en grandes cantidades pola industria fotovoltaica, cuxa estrutura cristalina case perfecta produce a maior eficiencia de conversión de luz a electricidade.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Tamaño	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diámetro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5	200 ± 0,5	300 ± 0,5
3	Condutividade	P ou N ou non dopado
4	Orientación	<100>, <110>, <111>
5	Espesor μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou segundo sexa necesario
6	Resistividade Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 etc.
7	RRV máx	8 %, 10 %, 12 %
8	Plano primario/Lonxitude mm	Como estándar SEMI ou como requirido
9	Plano secundario/Lonxitude mm	Como estándar SEMI ou como requirido
10	TTV μm máx	10	10	10	10	10	10
11	Arco e urdimbre μm máx	30	30	30	30	30	30
12	Acabado superficial	Como corte, L/L, P/E, P/P
13	Embalaxe	Caixa de escuma ou casete dentro, caixa de cartón fóra.

Símbolo	Si
Número atómico	14
Peso atómico	28.09
Categoría de elementos	Metaloide
Grupo, período, bloque	14, 3, páx
Estrutura cristalina	Diamante
Cor	Gris escuro
Punto de fusión	1414 °C, 1687,15 K
Punto de ebulición	3265 °C, 3538,15 K
Densidade a 300K	2,329 g/cm³
Resistividade intrínseca	3,2E5 Ω-cm
Número CAS	7440-21-3
Número CE	231-130-8

Oblea de silicio de cristal único CZ ou MCZA condutividade de tipo n e tipo p en Western Minmetals (SC) Corporation pódese entregar en tamaños de 2, 3, 4, 6, 8 e 12 polgadas de diámetro (50, 75, 100, 125, 150, 200 e 300 mm), orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial de corte, lapeado, gravado e pulido en paquete de caixa de escuma ou casete con caixa de cartón no exterior.