Arseniuro de Indio InAs

Descrición

O cristal de arseniuro de indio InAs é un semicondutor composto do grupo III-V sintetizado por polo menos 6N 7N elementos de indio e arsénico puros e un monocristal cultivado por proceso VGF ou Czochralski encapsulado líquido (LEC), aspecto de cor gris, cristais cúbicos con estrutura de cinc-blenda. , punto de fusión de 942 °C.O intervalo de banda de arseniuro de indio é unha transición directa idéntica ao arseniuro de galio, e o ancho de banda prohibido é de 0,45 eV (300 K).O cristal InAs ten unha alta uniformidade de parámetros eléctricos, unha rede constante, unha alta mobilidade de electróns e unha baixa densidade de defectos.Un cristal de InAs cilíndrico cultivado por VGF ou LEC pódese cortar e fabricar en obleas como cortadas, gravadas, pulidas ou preparadas para o crecemento epitaxial MBE ou MOCVD.

Aplicacións

A oblea de cristal de arseniuro de indio é un gran substrato para fabricar dispositivos Hall e sensores de campo magnético pola súa mobilidade de hall suprema pero a súa estreita banda de enerxía, un material ideal para a construción de detectores infravermellos cun rango de lonxitude de onda de 1 a 3,8 µm usado en aplicacións de maior potencia. a temperatura ambiente, así como láseres de superreticular infravermellos de lonxitude de onda media, fabricación de dispositivos LED de infravermellos medios para o seu rango de lonxitude de onda de 2-14 μm.Ademais, InAs é un substrato ideal para apoiar aínda máis a estrutura heteroxénea InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb ou AlGaSb superreticular, etc.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Arseniuro de indio

InAs

Oblea de cristal de arseniuro de indioé un gran substrato para fabricar dispositivos Hall e sensores de campo magnético pola súa mobilidade de hall suprema pero a súa estreita banda de enerxía, un material ideal para a construción de detectores infravermellos cun rango de lonxitude de onda de 1 a 3,8 µm usado en aplicacións de maior potencia a temperatura ambiente. así como láseres de superreticular infravermellos de lonxitude de onda media, fabricación de dispositivos LED de infravermellos medios para o seu rango de lonxitude de onda de 2-14 μm.Ademais, InAs é un substrato ideal para apoiar aínda máis a estrutura heteroxénea InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb ou AlGaSb superreticular, etc.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Tamaño	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,5 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Método de crecemento	LEC	LEC	LEC
4	Condutividade	Tipo P/Dopado con Zn, Tipo N/Dopado S, Non dopado
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	Orientación plana mm	16 ± 2	22 ± 2	32 ± 2
8	Identificación Plano mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilidade cm2/Vs	60-300, ≥2000 ou segundo sexa necesario
10	Concentración de portadores cm-3	(3-80)E17 ou ≤5E16
11	TTV μm máx	10	10	10
12	Proa μm máx	10	10	10
13	Deformación μm máx	15	15	15
14	Luxación Densidade cm-2 max	1000	2000	5000
15	Acabado superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalaxe	Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio.

Fórmula lineal	InAs
Peso Molecular	189,74
Estrutura cristalina	Mestura de zinc
Aparencia	Sólido cristalino gris
Punto de fusión	(936-942) °C
Punto de ebulición	N / A
Densidade a 300K	5,67 g/cm³
Brecha Enerxética	0,354 eV
Resistividad intrínseca	0,16 Ω-cm
Número CAS	1303-11-3
Número CE	215-115-3

Arseniuro de Indio InAsen Western Minmetals (SC) Corporation pódese subministrar como masas policristalinas ou obleas monocristalinas cortadas, grabadas, pulidas ou preparadas para epidemia nun tamaño de 2” 3” e 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro e Condutividade tipo p, tipo n ou non dopada e orientación <111> ou <100>.A especificación personalizada é a solución perfecta para os nosos clientes en todo o mundo.