Antimoniuro de indio InSb

Descrición

Iantimónido de ndio InSb, un semicondutor dos compostos cristalinos do grupo III-V con estrutura de rede de mestura de cinc, sintetízase mediante elementos de indio e antimonio de alta pureza 6N 7N, e se cultiva un monocristal mediante o método VGF ou o método Liquid Encapsulated Czochralski LEC a partir de lingotes policristalinos refinados de zonas múltiples. que pode ser cortado e fabricado en oblea e bloque despois.InSb é un semicondutor de transición directa cunha banda estreita de 0,17 eV a temperatura ambiente, alta sensibilidade a unha lonxitude de onda de 1-5 μm e mobilidade de sala ultra alta.Antimoniuro de indio InSb a condutividade tipo n, tipo p e semiillante en Western Minmetals (SC) Corporation pódese ofrecer en tamaños de 1″ 2″ 3″ e 4″ (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación < 111> ou <100>, e con acabado superficial de oblea de corte, lapeado, gravado e pulido.Tamén está dispoñible un obxectivo InSb de antimoniuro de indio de diámetro 50-80 mm con tipo n non dopado.Mentres tanto, o antimoniuro de indio policristalino InSb (InSb multicristalino) con tamaño de grumo irregular ou en branco (15-40) x (40-80) mm e barra redonda de D30-80 mm tamén se personalizan baixo petición para a solución perfecta.

Aplicación

Indio Antimonide InSb é un substrato ideal para a produción de moitos compoñentes e dispositivos de última xeración, como solución de imaxe térmica avanzada, sistema FLIR, elemento hall e elemento de efecto de magnetorresistencia, sistema de guía de mísiles orientadores infravermello, sensor fotodetector infravermello de alta resposta. , sensor de resistividade magnética e rotativa de alta precisión, matrices planares focales, e tamén se adapta como fonte de radiación de terahercios e en telescopio espacial astronómico infravermello, etc.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Antimoniuro de indio

InSb

Substrato de antimoniuro de indio(Sustrato InSb, Oblea InSb) O tipo n ou o tipo p en Western Minmetals (SC) Corporation pódense ofrecer en tamaños de 1" 2" 3" e 4" (30, 50, 75 e 100 mm) de diámetro, orientación <111> ou <100> e con superficie de oblea de acabados lapeados, grabados e pulidos.Tamén se pode subministrar unha barra de cristal único antimoniuro de indio (barra monocristal InSb) baixo petición.

Antimoniuro de indioPOlycrystalline (InSb Policristalino ou InSb multicristalino) con tamaño de grumo irregular ou branco (15-40) x (40-80) mm tamén se personalizan baixo petición para a solución perfecta.

Mentres tanto, tamén está dispoñible o obxectivo de antimoniuro de indio (obxectivo InSb) de diámetro 50-80 mm con tipo n non dopado.

Non.	Elementos	Especificación estándar
1	Substrato de antimoniuro de indio	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,5 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Método de crecemento	LEC	LEC	LEC
4	Condutividade	Tipo P/Zn, dopado Ge, tipo N/dopado Te, non dopado
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	Orientación plana mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Identificación Plano mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilidade cm2/Vs	1-7E5 N/non dopado, 3E5-2E4 N/Te dopado, 8-0,6E3 ou ≤8E13 P/Ge dopado
10	Concentración de portadores cm-3	6E13-3E14 N/non dopado, 3E14-2E18 N/Te dopado, 1E14-9E17 ou <1E14 P/Ge dopado
11	TTV μm máx	15	15	15
12	Proa μm máx	15	15	15
13	Deformación μm máx	20	20	20
14	Luxación Densidade cm-2 max	50	50	50
15	Acabado superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalaxe	Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio.

Non.	Elementos	Especificación estándar
Non.	Elementos	IAntimoniuro de ndio policristalino	Obxectivo de antimoniuro de indio
1	Condutividade	Desdopado	Desdopado
2	Concentración do portador cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilidade cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Tamaño	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Embalaxe	En bolsa de aluminio composto, caixa de cartón fóra

Fórmula lineal	InSb
Peso Molecular	236,58
Estrutura cristalina	Mestura de zinc
Aparencia	Cristais metálicos gris escuro
Punto de fusión	527 °C
Punto de ebulición	N / A
Densidade a 300K	5,78 g/cm³
Brecha Enerxética	0,17 eV
Resistividade intrínseca	4E(-3) Ω-cm
Número CAS	1312-41-0
Número CE	215-192-3

Antimoniuro de indio InSbA oblea é un substrato ideal para a produción de moitos compoñentes e dispositivos de última xeración, como solucións avanzadas de imaxe térmica, sistema FLIR, elemento hall e elemento de efecto de magnetorresistencia, sistema de guía de mísiles orientadores infravermellos, sensor fotodetector infravermello de alta resposta, alta -Sensor de resistividade magnética e rotativa de precisión, matrices focales planares, e tamén adaptado como fonte de radiación de terahercios e en telescopio espacial astronómico infravermello, etc.