Antimoniuro de galio GaSb

Descrición

Antimoniuro de galio GaSb, un semicondutor dos compostos do grupo III-V con estrutura de celosía de cinc-blenda, sintetízase mediante elementos de galio e antimonio de alta pureza 6N 7N e fórmase en cristal polo método LEC a partir de lingotes policristalinos conxelados direccionalmente ou método VGF con EPD <1000 cm.^-3.A oblea de GaSb pódese cortar e fabricar despois a partir de lingotes simples cristalinos cunha elevada uniformidade de parámetros eléctricos, estruturas de celosía únicas e constantes e baixa densidade de defectos, índice de refracción máis alto que a maioría dos outros compostos non metálicos.O GaSb pódese procesar cunha ampla selección de orientación exacta ou desactivada, concentración de dopado baixa ou alta, bo acabado superficial e para o crecemento epitaxial MBE ou MOCVD.O substrato de antimoniuro de galio está a ser utilizado nas aplicacións foto-ópticas e optoelectrónicas máis punteiras, como a fabricación de detectores fotográficos, detectores de infravermellos con longa duración, alta sensibilidade e fiabilidade, compoñente fotorresistente, LED infravermellos e láseres, transistores, célula fotovoltaica térmica. e sistemas termo-fotovoltaicos.

Entrega

Gallium Antimonide GaSb en Western Minmetals (SC) Corporation pódese ofrecer con condutividade semiillante de tipo n, tipo p e non dopada de tamaño de 2" 3" e 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación <111> ou <100>, e con acabado superficial en oblea de acabados tal como se cortan, gravados, pulidos ou acabados preparados para epitaxia de alta calidade.Todas as porcións están gravadas con láser individualmente para a súa identidade.Mentres tanto, o bulto GaSb de antimoniuro de galio policristalino tamén se personaliza baixo a solicitude para a solución perfecta.

Consulta agora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Antimoniuro de galio

GaSb

Antimoniuro de galio GaSbO substrato está a ser utilizado nas aplicacións foto-ópticas e optoelectrónicas máis punteiras, como a fabricación de detectores fotográficos, detectores de infravermellos de longa duración, alta sensibilidade e fiabilidade, compoñente fotorresistente, LED e láseres infravermellos, transistores, células fotovoltaicas térmicas e termos. -Sistemas fotovoltaicos.

	Elementos	Especificación estándar
1	Tamaño	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,5 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Método de crecemento	LEC	LEC	LEC
4	Condutividade	Tipo P/dopado con Zn, non dopado, tipo N/dopado con Te
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	Orientación plana mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Identificación Plano mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilidade cm2/Vs	200-3500 ou segundo sexa necesario
10	Concentración de portadores cm-3	(1-100)E17 ou segundo sexa necesario
11	TTV μm máx	15	15	15
12	Proa μm máx	15	15	15
13	Deformación μm máx	20	20	20
14	Luxación Densidade cm-2 max	500	1000	2000
15	Acabado superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalaxe	Recipiente único de obleas selado en bolsa de aluminio.

Fórmula lineal	GaSb
Peso Molecular	191,48
Estrutura cristalina	Mestura de zinc
Aparencia	Sólido cristalino gris
Punto de fusión	710 °C
Punto de ebulición	N / A
Densidade a 300K	5,61 g/cm³
Brecha Enerxética	0,726 eV
Resistividade intrínseca	1E3 Ω-cm
Número CAS	12064-03-8
Número CE	235-058-8

Antimoniuro de galio GaSben Western Minmetals (SC) Corporation pódese ofrecer con condutividade semiillante de tipo n, tipo p e non dopada de tamaño de 2” 3” e 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación <111> ou <100 >, e con acabado superficial en oblea de acabados tallados, grabados, pulidos ou preparados para epitaxia de alta calidade.Todas as porcións están gravadas con láser individualmente para a súa identidade.Mentres tanto, o bulto GaSb de antimoniuro de galio policristalino tamén se personaliza baixo a solicitude para a solución perfecta.